霍尔元件电压（霍尔元件电压表达式）
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霍尔元件的霍尔电压U是什么?
1、L为霍尔元件长度，U为工作电压，I为工作电流。
2、U：霍尔电压（z方向）。 k为霍尔系数，近似可以用电磁学模型来计算（洛伦兹力与电场力相平衡）。I为通过hall原件的电流强度（y方向）。B为横向磁场强度（x方向）。
3、UH=K*IC*B （2）可见，霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称为乘积灵敏度。K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。
4、Uh：霍尔电压，标准单位（SI）是：伏特，符号：V d：霍尔样品沿着磁场的尺寸，标准单位（SI）是：米，符号：m Is：通过霍尔样品的电流，标准单位（SI）是：安培，符号：A B：外磁场，标准单位（SI）是：特斯拉，符号：T。
5、依据霍尔效应原理，霍尔电压的计算公式如下：UH=KHISB 其中，KH为霍尔元件的灵敏度，UH为霍尔电势差，IS为霍尔元件的激励电流，B为垂直于霍尔元件表面的磁感应强度。对于固定的霍尔元件，KH一般为常数。因此，只要激励电流IS稳定，霍尔元件摆放位置处的磁感应强度B稳定，就可形成稳定的霍尔电压。
6、UH=K*IC*B （2）可见，霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称霍尔系数。K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。
霍尔元件的电压怎么算?
霍尔电压E=KIB，K为灵敏度系数，I为工作电流，B为与霍尔片及I垂直的磁感应强度的分量。也就是说，霍尔电压与电流及磁感应强度的乘积成正比。工作电流为交变电流时，如果外磁场是恒定磁场，霍尔电压为与工作电流同频率的电压信号。
霍尔系数Rh＝U*d/IB， U为霍尔电压，单位mV，d为霍尔元件厚度，单位为μm，I为工作电流，单位为mA，B为磁场强度，单位为T 载流子浓度n＝1/|Rh| 迁移率＝Kh*（L/l）*（I/U ）L为霍尔元件长度，U为工作电压，I为工作电流。
霍尔元件公式U=IB/nqd 霍尔元件结构是由霍尔片、4根引线和壳体组成。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片（一般为4mm×2mm×0.1mm），在它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，称为控制电流端引线，通常用红色导线。
霍尔电压是如何产生的
1、霍尔电压是如何产生的如下：霍尔电压产生原理是指在磁场作用下，通过霍尔元件产生的电势差，即霍尔电压的产生机制。霍尔电压是指当电流通过一块薄片时，垂直于电流方向施加一个磁场，会在薄片两侧产生一个电压差。霍尔电压产生原理是基于霍尔效应的。
2、霍尔电压是指在有磁场作用下，电流通过一个材料时所产生的电势差。这个现象被称为“霍尔效应”，是美国物理学家汉恩斯·克里斯蒂安·奥斯特瓦尔德·霍尔于1879年发现的。霍尔效应的原理可以通过以下步骤来理解： 磁场作用：首先，需要在材料的上下表面之间施加一个垂直于电流方向的磁场。
3、霍尔电压是在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生的。
4、霍尔电压（一般称霍尔电势）的大小和方向与下述因素有关：激励电流I。与激励电流垂直的磁感应强度分量B。器件材料（决定灵明度系数K）。霍尔电势的方向还与半导体是P型还是N型有关，两者方向相反。设霍尔电势为EH 则：EH=KIB 注：B为与电流垂直的磁感应强度分量。
5、而产生的内建电压称为霍尔电压。 方便起见，假设导体为一个长方体，长度分别为a，b，d，磁场垂直ab平面。电流经过ad，电流I = nqv（ad），n为电荷密度。设霍尔电压为VH，导体沿霍尔电压方向的电场为VH / a。设磁场强度为B。
